Complemento Synology D4EC-2400-16G compatible con fábrica original 16 GB DDR4-2400 MHz sin búfer ECC doble rango x8 1,2 V 288 pines CL15 UDIMM

Complemento Synology D4EC-2400-16G compatible con fábrica original 16 GB DDR4-2400 MHz sin búfer ECC doble rango x8 1,2 V 288 pines CL15 UDIMM
Esta memoria UDIMM original de fábrica, compatible con Synology D4EC-2400-16G, de 16 GB DDR4-2400 MHz, doble rango, sin búfer, ECC, 1.2 V, 288 pines, CL15, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Toda nuestra memoria para servidor se fabrica según los estrictos estándares JEDEC en instalaciones de primer nivel (Samsung, Micron o Hynix). Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que estés usando, la velocidad de memoria de 2400 MHz con latencia CL15 las ejecutará sin problemas.


• Editar imágenes de alta resolución, renderizar gráficos 3D y jugar a los últimos juegos no es un gran problema con 16 GB de memoria que los administra sin esfuerzo.


• La interfaz DDR4 SDRAM sincroniza las señales eléctricas y de reloj para una tasa de transferencia de datos eficiente


• 1 módulo de 16 GB para una eficiencia de almacenamiento confiable y máxima comodidad


• 288 pines para un rendimiento óptimo y máxima confiabilidad


• Latencia CAS CL15 para una respuesta rápida y confiable y un rendimiento mejorado


• Soporte de dispositivo de servidor para su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado del sistema y una solución de memoria confiable


• El factor de forma UDIMM con 288 pines y tamaño de memoria de 16 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM