Módulo adicional Dell SNPKN2NMC/4G compatible con 4 GB DDR4-2666 MHz, sin búfer, rango único x16, 1,2 V, 260 pines, CL15 SODIMM

Módulo adicional Dell SNPKN2NMC/4G compatible con 4 GB DDR4-2666 MHz, sin búfer, rango único x16, 1,2 V, 260 pines, CL15 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL15 de 4 GB DDR4-2666 MHz, de rango único x16, sin búfer, de 1,2 V y 260 pines, compatible con Dell SNPKN2NMC/4G, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que estés usando, la velocidad de memoria de 2666 MHz con latencia CL15 las ejecutará sin problemas.


• La memoria SoDIMM de 4 GB ejecuta sin problemas aplicaciones y juegos complejos


• La SDRAM DDR4 funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 4 GB para una eficiencia de almacenamiento confiable y máxima comodidad


• 260 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL15 para una respuesta rápida y confiable y un rendimiento mejorado


• Soporte de dispositivo informático para su módulo RAM para permitir máxima eficiencia y confiabilidad


• Factor de forma SoDIMM con 260 pines y tamaño de memoria de 4 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM