Complemento AM2133D4DR8RLP/8G x1 HP 759934-S21 Original de fábrica compatible 8 GB DDR4-2133 MHz Registrado ECC Doble rango x8 1,2 V 288 pines CL15 RDIMM

Complemento AM2133D4DR8RLP/8G x1 HP 759934-S21 Original de fábrica compatible 8 GB DDR4-2133 MHz Registrado ECC Doble rango x8 1,2 V 288 pines CL15 RDIMM
Esta memoria RDIMM original de fábrica, compatible con HP® 759934-S21, de 8 GB DDR4 a 2400 MHz, de doble rango, registrada, ECC, 1.2 V, 288 pines, CL15, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Toda nuestra memoria para servidor se fabrica según los estrictos estándares JEDEC en instalaciones de primer nivel (Samsung®, Micron® o Hynix®). Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que estés usando, la velocidad de memoria de 2133 MHz con señal registrada las ejecutará sin problemas.


• 8 GB de memoria para aumentar el rendimiento de tu ordenador


• La interfaz DDR4-2133/PC4-17066 sincroniza las señales eléctricas y de reloj para una velocidad de transferencia de datos eficiente


• 1 módulo de 8 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 288 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL15 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Soporte de dispositivo de servidor para su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado del sistema y una solución de memoria confiable


• Factor de forma DIMM con 288 pines y tamaño de memoria de 8 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales registradas permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM.