Módulo adicional AM1600D3SR8VEN/4G x1 JEDEC, original de fábrica, 4 GB DDR3-1600 MHz, sin búfer, ECC, rango único x8, 1,35 V, 240 pines, CL11, UDIMM de perfil muy bajo

Módulo adicional AM1600D3SR8VEN/4G x1 JEDEC, original de fábrica, 4 GB DDR3-1600 MHz, sin búfer, ECC, rango único x8, 1,35 V, 240 pines, CL11, UDIMM de perfil muy bajo
Esta memoria UDIMM de perfil muy bajo de 4 GB DDR3-1600 MHz, sin búfer, de rango único, ECC, 1.35 V, 240 pines, CL11, original de fábrica, cumple con los estándares de la industria y garantiza su compatibilidad con su sistema y un funcionamiento óptimo desde el primer uso. Toda nuestra memoria para servidor se fabrica según los estrictos estándares JEDEC en instalaciones de primer nivel (Samsung®, Micron® o Hynix®). Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• Velocidad de hasta 1600 MHz con latencia CL11 para un rendimiento informático fluido


• La memoria de 4 GB ejecuta sin problemas aplicaciones y juegos complejos


• La interfaz DDR3 SDRAM de 240 pines multiplexa datos de 2 bits desde la celda de memoria y los buses de E/S para minimizar el tiempo de inactividad del procesador y mejorar el rendimiento de su computadora.


• 1 módulo de 4 GB para una mayor confiabilidad y productividad de la memoria


• 240 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL11 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Soporte de dispositivo de servidor para su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado del sistema y una solución de memoria confiable


• Factor de forma DIMM con 240 pines y tamaño de memoria de 4 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM