Complemento AM1333D3DRLPR/16G x1 HP 627808-S21 Original de fábrica compatible 16 GB DDR3-1333 MHz Registrado ECC Doble rango 1,35 V 240 pines CL9 RDIMM

Complemento AM1333D3DRLPR/16G x1 HP 627808-S21 Original de fábrica compatible 16 GB DDR3-1333 MHz Registrado ECC Doble rango 1,35 V 240 pines CL9 RDIMM
Esta memoria RDIMM original de fábrica, compatible con HP® 627808-S21, de 16 GB DDR3 a 1333 MHz, de doble rango, ECC, 1,35 V, 240 pines y CL9, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Toda nuestra memoria para servidor se fabrica según los estrictos estándares JEDEC en instalaciones de primer nivel (Samsung®, Micron® o Hynix®). Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• Hasta 1333 MHz de velocidad con señal registrada y latencia CL9 para jugar los últimos juegos y utilizar software pesado


• La barra DIMM de 16 GB ejecutará múltiples aplicaciones juntas y mejorará el rendimiento de su computadora


• La interfaz DDR3-1333/PC3-10664 multiplexa datos de 2 bits de la celda de memoria y los buses de E/S para minimizar el tiempo de inactividad del procesador y mejorar el rendimiento de su computadora.


• 1 módulo de 16 GB para una mayor confiabilidad y productividad de la memoria


• 240 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL9 para una respuesta rápida y confiable y un rendimiento mejorado


• Soporte de dispositivo de servidor para su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado del sistema y una solución de memoria confiable


• El factor de forma DIMM con 240 pines y tamaño de memoria de 16 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales registradas permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM.