Complemento AM1333D3DRE/8G x1 HP 664696-001 Original de fábrica compatible 8 GB DDR3-1333 MHz Sin búfer ECC Doble rango 1,5 V 240 pines CL9 UDIMM

Complemento AM1333D3DRE/8G x1 HP 664696-001 Original de fábrica compatible 8 GB DDR3-1333 MHz Sin búfer ECC Doble rango 1,5 V 240 pines CL9 UDIMM
Esta memoria UDIMM original de fábrica, compatible con HP® 664696-001, de 8 GB DDR3 a 1333 MHz, de doble rango, sin búfer, ECC, 1,5 V, 240 pines, CL9, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Toda nuestra memoria para servidor se fabrica según los estrictos estándares JEDEC en instalaciones de primer nivel (Samsung®, Micron® o Hynix®). Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• El módulo RAM es la respuesta única a todas sus necesidades de memoria para aplicaciones exigentes y de alto rendimiento.


• Velocidad de hasta 1333 MHz para un rendimiento informático fluido


• La memoria µDIMM de 8 GB se combina perfectamente con su último modelo de procesador y aumenta el rendimiento de su computadora.


• La interfaz DDR3-1333/PC3-10664 de 240 pines multiplexa datos de 2 bits desde la celda de memoria y los buses de E/S para minimizar el tiempo de inactividad del procesador y mejorar el rendimiento de su computadora.


• 1 módulo de 8 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 240 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL9 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Soporte de dispositivo de servidor para su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado del sistema y una solución de memoria confiable


• Factor de forma µDIMM con 240 pines y tamaño de memoria de 8 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM