Módulo adicional AM1333D3DRE/2G x1, JEDEC, estándar, original de fábrica, 2 GB DDR3-1333 MHz, sin búfer, ECC, doble rango, 1,5 V, 240 pines, CL9 UDIMM

Módulo adicional AM1333D3DRE/2G x1, JEDEC, estándar, original de fábrica, 2 GB DDR3-1333 MHz, sin búfer, ECC, doble rango, 1,5 V, 240 pines, CL9 UDIMM
Esta memoria UDIMM CL9 de 2 GB DDR3-1333 MHz de doble rango sin búfer, ECC, 1,5 V, 240 pines y original de fábrica, estándar de la industria, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Toda nuestra memoria para servidor se fabrica según los estrictos estándares JEDEC en instalaciones de primer nivel (Samsung, Micron o Hynix). Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que estés usando, la velocidad de memoria de 1333 MHz con latencia CL9 las ejecutará sin problemas.


• La memoria UDIMM de 2 GB ejecuta sin problemas aplicaciones y juegos complejos


• La interfaz DDR3-1333/PC3-10600 de 240 pines multiplexa datos de 2 bits desde la celda de memoria y los buses de E/S para minimizar el tiempo de inactividad del procesador y mejorar el rendimiento de su computadora.


• 1 módulo de 2 GB para una mayor confiabilidad y productividad de la memoria


• 240 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL9 para una respuesta rápida y confiable y un rendimiento mejorado


• Soporte de dispositivo de servidor para su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado del sistema y una solución de memoria confiable


• El factor de forma UDIMM con 240 pines y tamaño de memoria de 2 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM