Complemento AM1333D3DR8VEN/8G x1 HP 647909-B21 Original de fábrica compatible 8 GB DDR3-1333 MHz Sin búfer ECC Doble rango x8 1,35 V 240 pines CL9 UDIMM de perfil muy bajo

Complemento AM1333D3DR8VEN/8G x1 HP 647909-B21 Original de fábrica compatible 8 GB DDR3-1333 MHz Sin búfer ECC Doble rango x8 1,35 V 240 pines CL9 UDIMM de perfil muy bajo
Esta memoria UDIMM de perfil muy bajo, compatible con HP® 647909-B21, de 8 GB DDR3 a 1333 MHz, de doble rango, sin búfer, ECC, 1,35 V, 240 pines, CL9, original de fábrica, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Toda nuestra memoria para servidor se fabrica según los estrictos estándares JEDEC en instalaciones de primer nivel (Samsung®, Micron® o Hynix®). Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• Hasta 1333 MHz de velocidad con señal sin búfer y latencia CL9 para jugar los juegos más recientes y utilizar software pesado


• 8 GB de memoria hacen una simetría perfecta con su último modelo de procesador y aumentan el rendimiento de su computadora.


• La memoria DDR3-1333/PC3-10664 de 240 pines funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 8 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 240 pines para un rendimiento óptimo y máxima confiabilidad


• Latencia CAS CL9 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Soporte de dispositivo de servidor para su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado del sistema y una solución de memoria confiable


• El factor de forma µDIMM con 240 pines y tamaño de memoria de 8 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• Procesamiento de señales sin búfer para una programabilidad confiable del procesador para una fácil optimización de señales digitales