Complemento AAT160D3SL/8G x1 8 GB DDR3-1600 MHz, compatible con el estándar JEDEC TAA, sin búfer, doble rango, 1,35 V, 204 pines, CL11 SODIMM

Complemento AAT160D3SL/8G x1 8 GB DDR3-1600 MHz, compatible con el estándar JEDEC TAA, sin búfer, doble rango, 1,35 V, 204 pines, CL11 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL11 de 8 GB DDR3 a 1600 MHz, de doble rango, sin búfer, 1,35 V y 204 pines, compatible con TAA, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• Velocidad de hasta 1600 MHz con señal sin búfer para jugar los juegos más recientes y utilizar software pesado


• 8 GB de memoria hacen una simetría perfecta con su último modelo de procesador y aumentan el rendimiento de su computadora.


• La SDRAM DDR3 de 204 pines funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 8 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 204 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL11 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Compatibilidad de dispositivos portátiles con su módulo de RAM para máxima productividad y comodidad


• El factor de forma SoDIMM con 204 pines y tamaño de memoria de 8 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM