Módulo adicional AA800D2S6/2G x1 compatible con Toshiba KTT800D2/2G, 2 GB DDR2-800 MHz, sin búfer, doble rango, 1,8 V, 200 pines, CL6 SODIMM

Módulo adicional AA800D2S6/2G x1 compatible con Toshiba KTT800D2/2G, 2 GB DDR2-800 MHz, sin búfer, doble rango, 1,8 V, 200 pines, CL6 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL6 de 2 GB DDR2-800 MHz de doble rango sin búfer, 1,8 V y 200 pines, compatible con Toshiba® KTT800D2/2G, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• 800 MHz de velocidad de memoria con señal sin búfer hacen que su computadora funcione como un atleta


• La memoria de 2 GB ejecuta sin problemas aplicaciones y juegos complejos


• La interfaz DDR2-800/PC2-6400 sincroniza las señales eléctricas y de reloj para una velocidad de transferencia de datos eficiente


• 1 módulo de 2 GB para una mayor confiabilidad y productividad de la memoria


• 200 pines para un rendimiento óptimo y máxima confiabilidad


• Latencia CAS CL6 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Compatibilidad del dispositivo portátil con su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado y una solución de memoria confiable


• El factor de forma SoDIMM con 200 pines y tamaño de memoria de 2 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM