Módulo adicional AA667D2S5/2GB x1 Lenovo 73P3847 compatible con 2 GB DDR2-667 MHz, sin búfer, doble rango, 1,8 V, 200 pines CL5 SODIMM

Módulo adicional AA667D2S5/2GB x1 Lenovo 73P3847 compatible con 2 GB DDR2-667 MHz, sin búfer, doble rango, 1,8 V, 200 pines CL5 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL5 de 2 GB DDR2-667 MHz de doble rango sin búfer, 1,8 V y 200 pines, compatible con Lenovo® 73P3847, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funcionará correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de primer nivel. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• El módulo RAM es la respuesta única a todas sus necesidades de memoria para aplicaciones de alto rendimiento y deseadas.


• 667 MHz de velocidad de memoria con señal sin búfer hacen que su computadora sea excelente para realizar múltiples tareas.


• SoDIMM 2 GB de memoria para refinar el rendimiento de su computadora


• La interfaz DDR2 SDRAM de 200 pines sincroniza las señales eléctricas y de reloj para lograr una tasa de transferencia de datos eficiente


• 1 módulo de 2 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 200 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL5 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Compatibilidad de dispositivos portátiles con su módulo de RAM para máxima productividad y comodidad


• El factor de forma SoDIMM con 200 pines y 2 GB de tamaño de memoria reduce eficazmente la carga en el BUS de memoria del servidor para garantizar la máxima productividad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM