Módulo adicional AA533D2S3/1 GB x1 compatible con Gateway 1SMERZZTA23, 1 GB DDR2-533 MHz, sin búfer, doble rango, 1,8 V, 200 pines, CL4 SODIMM

Módulo adicional AA533D2S3/1 GB x1 compatible con Gateway 1SMERZZTA23, 1 GB DDR2-533 MHz, sin búfer, doble rango, 1,8 V, 200 pines, CL4 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL4 de 1 GB DDR2-533 MHz, doble rango, sin búfer, 1,8 V y 200 pines, compatible con Gateway® 1SMERZZTA23, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• 400 MHz de velocidad de memoria con latencia CL4 le permiten navegar por la web, escuchar canciones y usar software de rutina simultáneamente


• La memoria SoDIMM de 1 GB ejecuta sin problemas aplicaciones y juegos complejos


• La SDRAM DDR2 funciona a una velocidad de bus de datos de hasta 400 MHz con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 1 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 200 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL4 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Compatibilidad del dispositivo portátil con su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado y una solución de memoria confiable


• El factor de forma SoDIMM con 200 pines y tamaño de memoria de 1 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM