Módulo adicional AA32C12864-PC333 x1 JEDEC estándar, 1 GB DDR-333 MHz, sin búfer, doble rango, 2,5 V, 184 pines, CL3 UDIMM

Módulo adicional AA32C12864-PC333 x1 JEDEC estándar, 1 GB DDR-333 MHz, sin búfer, doble rango, 2,5 V, 184 pines, CL3 UDIMM
Esta memoria UDIMM CL3 de 1 GB DDR-333 MHz de doble rango sin búfer, 2,5 V y 184 pines, estándar de la industria, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• 333 MHz de velocidad de memoria gestionan hábilmente la variedad de aplicaciones y tareas computacionales


• 1 GB de memoria ejecuta sin problemas aplicaciones y juegos complejos


• DDR SDRAM funciona a una velocidad de bus de datos de hasta 400 MHz con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 1 GB para una mayor confiabilidad y productividad de la memoria


• 184 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL3 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Soporte de dispositivo de placa base para su módulo de RAM para máxima productividad y comodidad


• El factor de forma UDIMM con 184 pines y tamaño de memoria de 1 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM