Módulo adicional AA2400D4SR8S/4G x1 JEDEC estándar de 4 GB DDR4 a 2400 MHz, sin búfer, rango único x8, 1,2 V, 260 pines CL15 SODIMM

Módulo adicional AA2400D4SR8S/4G x1 JEDEC estándar de 4 GB DDR4 a 2400 MHz, sin búfer, rango único x8, 1,2 V, 260 pines CL15 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL15 de 4 GB DDR4-2400 MHz, de rango único, sin búfer, 1,2 V y 260 pines, estándar de la industria, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• Velocidad de hasta 2400 MHz para un rendimiento informático fluido


• La memoria SoDIMM de 4 GB ejecuta sin problemas aplicaciones y juegos complejos


• La SDRAM DDR4 de 260 pines funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 4 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 260 pines para un rendimiento óptimo y máxima confiabilidad


• Latencia CAS CL15 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Compatibilidad del dispositivo portátil con su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado y una solución de memoria confiable


• Factor de forma SoDIMM con 260 pines y tamaño de memoria de 4 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM