Complemento AA2133D4SR8S/4G x1 HP T7B76AA Compatible 4 GB DDR4-2133 MHz Sin búfer Rango único x8 1,2 V 260 pines CL15 SODIMM

Complemento AA2133D4SR8S/4G x1 HP T7B76AA Compatible 4 GB DDR4-2133 MHz Sin búfer Rango único x8 1,2 V 260 pines CL15 SODIMM
Esta memoria SO-DIMM HP® T7B76AA original de fábrica, compatible con 4 GB DDR4-2133 MHz, rango único x8, 1,2 V y 260 pines, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• El módulo RAM ofrece memoria mejorada con máxima productividad


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que estés usando, la velocidad de memoria de 2133 MHz las ejecutará sin problemas.


• 4 GB de memoria para optimizar el rendimiento de tu computadora


• La DDR4-2133/PC4-17066 de 260 pines funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 4 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 260 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL15 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Compatibilidad del dispositivo portátil con su módulo RAM para permitir máxima eficiencia y confiabilidad


• El factor de forma SoDIMM con 260 pines y tamaño de memoria de 4 GB reduce eficazmente la carga en el BUS de memoria del servidor para garantizar la máxima productividad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM