Complemento AA160D3SL/8G x1 HP H6Y77AA#ABA Compatible 8 GB DDR3-1600 MHz Sin búfer Doble rango 1,35 V 204 pines CL11 SODIMM

Complemento AA160D3SL/8G x1 HP H6Y77AA#ABA Compatible 8 GB DDR3-1600 MHz Sin búfer Doble rango 1,35 V 204 pines CL11 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL11 de 8 GB DDR3-1600 MHz de doble rango sin búfer, 1,35 V y 204 pines, compatible con HP® H6Y77AA#ABA, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funcionará correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que esté utilizando, la velocidad de memoria de 1600 MHz con señal sin búfer y latencia CL11 las ejecutará sin problemas.


• La memoria SoDIMM de 8 GB te permite tener más programas abiertos a la vez


• La SDRAM DDR3 funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 8 GB para una mayor confiabilidad y productividad de la memoria


• 204 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL11 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Compatibilidad de dispositivos portátiles con su módulo de RAM para máxima productividad y comodidad


• Factor de forma SoDIMM con 204 pines y tamaño de memoria de 8 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM