Complemento AA160D3SL/8G x1 HP H2P65UT compatible 8 GB DDR3-1600 MHz sin búfer de doble rango 1,35 V 204 pines CL11 SODIMM

Complemento AA160D3SL/8G x1 HP H2P65UT compatible 8 GB DDR3-1600 MHz sin búfer de doble rango 1,35 V 204 pines CL11 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL11 de 8 GB DDR3-1600 MHz de doble rango sin búfer, 1,35 V y 204 pines, compatible con HP® H2P65UT, garantiza al 100 % su compatibilidad con su sistema y su correcto funcionamiento a la primera. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• Velocidad de hasta 1600 MHz con latencia CL11 para un rendimiento informático fluido


• La memoria SoDIMM de 8 GB te permite tener más programas abiertos a la vez


• La memoria DDR3-1600/PC3-12800 de 204 pines funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 8 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 204 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL11 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Compatibilidad de dispositivos portátiles con su módulo RAM para permitir máxima eficiencia y confiabilidad


• El factor de forma SoDIMM con 204 pines y tamaño de memoria de 8 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM