Complemento AA160D3SL/4G x1 Lenovo 03T6457 Compatible 4 GB DDR3-1600 MHz Sin búfer Doble rango 1,5 V 204 pines CL11 SODIMM

Complemento AA160D3SL/4G x1 Lenovo 03T6457 Compatible 4 GB DDR3-1600 MHz Sin búfer Doble rango 1,5 V 204 pines CL11 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL11 de 4 GB DDR3-1600 MHz de doble rango sin búfer, 1,5 V y 204 pines, compatible con Lenovo® 03T6457, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funcionará correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de primer nivel. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• El módulo RAM es la respuesta única a todas sus necesidades de memoria para aplicaciones de alto rendimiento y deseadas.


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que estés usando, la velocidad de memoria de 1600 MHz con latencia CL11 las ejecutará sin problemas.


• 4 GB de memoria para perfeccionar el rendimiento de tu computadora


• La SDRAM DDR3 de 204 pines funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 4 GB para una mayor confiabilidad y productividad de la memoria


• 204 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL11 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Compatibilidad de dispositivos portátiles con su módulo de RAM para máxima productividad y comodidad


• El factor de forma SoDIMM con 204 pines y tamaño de memoria de 4 GB reduce de manera efectiva la carga eléctrica en el controlador de memoria para permitir la máxima viabilidad.


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM