Complemento AA160D3SL/4G x1 HP H6Y75AA Compatible 4 GB DDR3-1600 MHz Sin búfer Doble rango 1,35 V 204 pines CL11 SODIMM

Complemento AA160D3SL/4G x1 HP H6Y75AA Compatible 4 GB DDR3-1600 MHz Sin búfer Doble rango 1,35 V 204 pines CL11 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL11 de 4 GB DDR3-1600 MHz de doble rango sin búfer, 1,35 V y 204 pines, compatible con HP® H6Y75AA, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• El módulo RAM ofrece memoria mejorada con máxima productividad


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que estés usando, la velocidad de memoria de 1600 MHz con señal sin búfer las ejecutará sin problemas.


• La memoria SoDIMM de 4 GB te permite tener más programas abiertos a la vez


• La interfaz DDR3-1600/PC3-12800 multiplexa datos de 2 bits de la celda de memoria y los buses de E/S para minimizar el tiempo de inactividad del procesador y mejorar el rendimiento de su computadora.


• 1 módulo de 4 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 204 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL11 para un acceso más rápido a la ubicación requerida de manera oportuna y eficiente


• Compatibilidad del dispositivo portátil con su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado y una solución de memoria confiable


• Factor de forma SoDIMM con 204 pines y tamaño de memoria de 4 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM