Módulo adicional AA160D3N/4G x3 JEDEC estándar de 12 GB (3 x 4 GB) DDR3 a 1600 MHz, sin búfer, doble rango, 1,5 V, 240 pines, CL11 UDIMM

Módulo adicional AA160D3N/4G x3 JEDEC estándar de 12 GB (3 x 4 GB) DDR3 a 1600 MHz, sin búfer, doble rango, 1,5 V, 240 pines, CL11 UDIMM
Este kit UDIMM CL11 de 12 GB (3 x 4 GB) DDR3-1600 MHz de doble rango sin búfer, 1,5 V y 240 pines, estándar de la industria, garantiza la compatibilidad con su sistema y su correcto funcionamiento a la primera. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• El módulo RAM ofrece una mejor protección con máxima eficiencia y comodidad.


• Velocidad de hasta 1600 MHz con latencia CL11 para un rendimiento informático fluido


• La capacidad UDIMM de 12 GB es suficiente para ejecutar simultáneamente todos los programas que consumen mucha memoria


• La interfaz DDR3-1600/PC3-12800 de 240 pines sincroniza las señales eléctricas y de reloj para una velocidad de transferencia de datos eficiente


• 3 módulos de 4 GB para una eficiencia de almacenamiento confiable y máxima comodidad


• 240 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL11 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Compatibilidad de dispositivo de PC de escritorio con su módulo de RAM para permitir un rendimiento mejorado y una solución de memoria confiable


• Factor de forma UDIMM con 240 pines y 12 GB de tamaño de memoria para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten la máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM