Complemento AA160D3N/2G x1 compatible con Dell A2200695, 2 GB DDR3-1600 MHz, sin búfer, doble rango, 1,5 V, 240 pines, CL11 UDIMM

Complemento AA160D3N/2G x1 compatible con Dell A2200695, 2 GB DDR3-1600 MHz, sin búfer, doble rango, 1,5 V, 240 pines, CL11 UDIMM
Esta memoria UDIMM CL11 de 2 GB DDR3-1600 MHz de doble rango sin búfer, 1,5 V y 240 pines, compatible con Dell A2200695, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permite una ejecución eficiente y fluida de todas sus aplicaciones de trabajo pesado con la máxima productividad.


• No importa cuán pesadas y numerosas sean las aplicaciones que esté utilizando, la velocidad de memoria de 1600 MHz con señal sin búfer y latencia CL11 las ejecutará sin problemas.


• La memoria de 2 GB te permite tener más programas abiertos a la vez


• La interfaz DDR3 SDRAM de 240 pines multiplexa datos de 2 bits desde la celda de memoria y los buses de E/S para minimizar el tiempo de inactividad del procesador y mejorar el rendimiento de su computadora.


• 1 módulo de 2 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 240 pines para un rendimiento más rápido y confiable y un mejor acceso a los datos y la información


• Latencia CAS CL11 para ciclos de reloj más rápidos y confiables que permiten un acceso y recuperación rápidos de datos e información


• Factor de forma UDIMM con 240 pines y tamaño de memoria de 2 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM