Módulo adicional AA1333D3S9/2G x1 compatible con Toshiba KTT1066D3/2G, 2 GB DDR3-1066 MHz, sin búfer, doble rango, 1,5 V, 204 pines, CL7 SODIMM

Módulo adicional AA1333D3S9/2G x1 compatible con Toshiba KTT1066D3/2G, 2 GB DDR3-1066 MHz, sin búfer, doble rango, 1,5 V, 204 pines, CL7 SODIMM
Esta memoria SODIMM CL7 de 2 GB DDR3-1333 MHz de doble rango sin búfer, 1,5 V y 204 pines, compatible con Toshiba® KTT1066D3/2G, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• 1066 MHz de velocidad de memoria hacen que su computadora funcione como un atleta


• SoDIMM 2 GB de memoria para refinar el rendimiento de su computadora


• DDR3-1066/PC3-8500 funciona a una velocidad de bus efectiva con un consumo de energía mínimo y, como resultado, obtiene un rendimiento informático óptimo con una disipación de calor de memoria mejorada.


• 1 módulo de 2 GB para una eficiencia de almacenamiento confiable y máxima comodidad


• 204 pines para un rendimiento del sistema mejorado y confiable con máxima facilidad de uso


• Latencia CAS CL7 para una respuesta rápida y confiable y un rendimiento mejorado


• Compatibilidad del dispositivo portátil con su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado y una solución de memoria confiable


• Factor de forma SoDIMM con 204 pines y tamaño de memoria de 2 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un rendimiento mejorado del módulo RAM