AddOn AAT160D3SL/8G x1 8 GB DDR3-1600 MHz JEDEC-Standard TAA-konform Ungepufferter Dual Rank 1,35 V 204-poliger CL11 SODIMM

AddOn AAT160D3SL/8G x1 8 GB DDR3-1600 MHz JEDEC-Standard TAA-konform Ungepufferter Dual Rank 1,35 V 204-poliger CL11 SODIMM
Dieses Industriestandard-8GB DDR3-1600MHz TAA-konforme, ungepufferte Dual-Rank-SODIMM mit 1,35V, 204-poligem CL11-Anschluss ist garantiert kompatibel mit Ihrem System und funktioniert sofort einwandfrei. Zusätzliche Speichererweiterungen steigern die Leistung Ihres Systems. Alle unsere Speicher werden nach strengen JEDEC-Standards gefertigt, um die Werksanforderungen der Tier-1-OEMs zu erfüllen oder zu übertreffen. Unsere Produkte sind außerdem gesetzlich garantiert, dass OEM-Garantien nicht beeinträchtigt oder ungültig werden.

• Ermöglicht die effiziente und reibungslose Ausführung all Ihrer Hochleistungsanwendungen bei maximaler Produktivität


• Bis zu 1600 MHz Geschwindigkeit mit ungepuffertem Signal zum Spielen der neuesten Spiele und zur Nutzung anspruchsvoller Software


• 8 GB Arbeitsspeicher sorgen für eine perfekte Symmetrie mit Ihrem neuesten Prozessormodell und steigern die Leistung Ihres Computers


• 204-poliger DDR3-SDRAM arbeitet mit einer effektiven Busgeschwindigkeit bei minimalem Stromverbrauch und bietet dadurch optimale Computerleistung bei verbesserter Wärmeableitung des Speichers


• 1 x 8 GB-Modul für den schnellen Zugriff und Abruf von Daten und Informationen, um maximale Benutzerfreundlichkeit zu gewährleisten


• 204-Pin für schnellere, zuverlässigere Leistung und besseren Zugriff auf Daten und Informationen


• CL11 CAS-Latenz für schnellere, zuverlässige Taktzyklen, die einen schnellen Zugriff und Abruf von Daten und Informationen ermöglichen


• Notebook-Geräteunterstützung für Ihr RAM-Modul für maximale Produktivität und Komfort


• Der SoDIMM-Formfaktor mit 204 Pins und 8 GB Speichergröße verringert effektiv die elektrische Belastung des Speichercontrollers und ermöglicht so maximale Leistung


• Ungepufferte Signalverarbeitung ermöglicht höhere Genauigkeit und verbesserte RAM-Modulleistung