Complemento AA2400D4SR8S/8G x1 Dell SNPMKYF9C/8G Compatible 8 GB DDR4-2400 MHz Sin búfer Doble rango x8 1,2 V 260 pines CL15 SODIMM

Complemento AA2400D4SR8S/8G x1 Dell SNPMKYF9C/8G Compatible 8 GB DDR4-2400 MHz Sin búfer Doble rango x8 1,2 V 260 pines CL15 SODIMM
Esta memoria SO-DIMM CL15 de 8 GB DDR4-2400 MHz, rango único x8, 1,2 V y 260 pines, compatible con Dell® SNPMKYF9C/8G, original de fábrica, está 100 % garantizada como compatible con su sistema y funciona correctamente desde el primer uso. Añadir memoria adicional es la mejor manera de aumentar el rendimiento de su sistema. Todas nuestras memorias se fabrican según los estrictos estándares JEDEC para cumplir o superar los requisitos de fábrica de los fabricantes de equipos originales (OEM) de nivel 1. Nuestros productos también cuentan con la garantía federal de no afectar ni anular las garantías de los fabricantes de equipos originales (OEM).

• Permita un acceso cómodo y rápido a la información almacenada que su computadora está utilizando activamente para lograr la máxima eficiencia


• Velocidad de hasta 2400 MHz con señal sin búfer para un rendimiento fluido del equipo


• SoDIMM 8 GB de memoria para aumentar el rendimiento de tu ordenador


• La interfaz DDR4-2400/PC4-19200 multiplexa datos de 2 bits de la celda de memoria y los buses de E/S para minimizar el tiempo de inactividad del procesador y mejorar el rendimiento de su computadora.


• 1 módulo de 8 GB para un acceso rápido y recuperación de datos e información para garantizar la máxima usabilidad


• 260 pines para un rendimiento óptimo y máxima confiabilidad


• Latencia CAS CL15 para una respuesta rápida y confiable y un rendimiento mejorado


• Compatibilidad del dispositivo portátil con su módulo RAM para permitir un rendimiento mejorado y una solución de memoria confiable


• Factor de forma SoDIMM con 260 pines y tamaño de memoria de 8 GB para un rendimiento y una velocidad mejorados que permiten una máxima usabilidad


• El procesamiento de señales sin búfer permite una mayor precisión y un mejor rendimiento del módulo RAM